SAN JOSE -- Theo nguồn tin từ công ty và ngành công nghiệp, Samsung Electronics Co. sẽ ra mắt dịch vụ đóng gói ba chiều (3D) cho bộ nhớ băng thông cao (HBM) trong năm nay, một công nghệ dự kiến sẽ được giới thiệu cho thế hệ chip trí tuệ nhân tạo thứ sáu HBM4 dự kiến ra mắt vào năm 2025.
Vào ngày 20 tháng 6, nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới đã công bố công nghệ đóng gói chip mới nhất và lộ trình dịch vụ tại Diễn đàn Samsung Foundry 2024 được tổ chức tại San Jose, California.
Đây là lần đầu tiên Samsung công bố công nghệ đóng gói 3D cho chip HBM tại một sự kiện công khai. Hiện nay, chip HBM chủ yếu được đóng gói bằng công nghệ 2.5D.
Sự việc này diễn ra khoảng hai tuần sau khi Jensen Huang, đồng sáng lập kiêm Giám đốc điều hành của Nvidia, công bố kiến trúc thế hệ mới của nền tảng trí tuệ nhân tạo Rubin trong một bài phát biểu tại Đài Loan.
HBM4 nhiều khả năng sẽ được tích hợp trong mẫu GPU Rubin mới của Nvidia, dự kiến ra mắt thị trường vào năm 2026.
KẾT NỐI THẲNG ĐỨNG
Công nghệ đóng gói mới nhất của Samsung sử dụng các chip HBM được xếp chồng lên nhau theo chiều dọc trên GPU để tăng tốc hơn nữa quá trình học dữ liệu và xử lý suy luận, một công nghệ được coi là bước đột phá trong thị trường chip AI đang phát triển nhanh chóng.
Hiện nay, các chip HBM được kết nối theo chiều ngang với GPU trên một lớp trung gian silicon theo công nghệ đóng gói 2.5D.
Ngược lại, công nghệ đóng gói 3D không cần đến lớp trung gian silicon, hay một lớp nền mỏng nằm giữa các chip để chúng có thể giao tiếp và hoạt động cùng nhau. Samsung đặt tên cho công nghệ đóng gói mới này là SAINT-D, viết tắt của Samsung Advanced Interconnection Technology-D.
DỊCH VỤ TRỌN GÓI
Công ty Hàn Quốc này được cho là cung cấp giải pháp đóng gói 3D HBM trọn gói.
Để làm được điều đó, đội ngũ đóng gói tiên tiến của họ sẽ kết nối theo chiều dọc các chip HBM được sản xuất tại bộ phận kinh doanh bộ nhớ của họ với các GPU được lắp ráp cho các công ty không có nhà máy sản xuất bởi đơn vị đúc của họ.
“Công nghệ đóng gói 3D giúp giảm mức tiêu thụ điện năng và độ trễ xử lý, cải thiện chất lượng tín hiệu điện của chip bán dẫn”, một quan chức của Samsung Electronics cho biết. Năm 2027, Samsung dự định giới thiệu công nghệ tích hợp dị thể tất cả trong một, kết hợp các phần tử quang học giúp tăng tốc độ truyền dữ liệu của chất bán dẫn một cách đáng kể vào một gói thống nhất các bộ tăng tốc AI.
Phù hợp với nhu cầu ngày càng tăng đối với các chip hiệu năng cao, tiêu thụ điện năng thấp, HBM dự kiến sẽ chiếm 30% thị trường DRAM vào năm 2025, tăng từ 21% vào năm 2024, theo TrendForce, một công ty nghiên cứu của Đài Loan.
MGI Research dự báo thị trường bao bì tiên tiến, bao gồm cả bao bì 3D, sẽ tăng trưởng lên 80 tỷ đô la vào năm 2032, so với 34,5 tỷ đô la vào năm 2023.
Thời gian đăng bài: 10/06/2024